专利名称：一维纳米结构极化增强放电电极专利类型：发明专利发明人：李杰,黄奕翔
申请号：CN201210464656.X申请日：20121116公开号：CN102933015A公开日：20130213
摘要：本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
申请人：上海交通大学
地址：200240 上海市闵行区东川路800号
国籍：CN
代理机构：上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人：郑立
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